主权项 |
一种输入级ESD保护电路,其特征在于,所述电路包括二极管串、电源钳位ESD保护电路、ESD幅值特征探测模块以及传输门模块;所述二极管串包括二极管D<sub>1</sub>、D<sub>2</sub>、D<sub>3</sub>、D<sub>4</sub>;所述二极管D<sub>1</sub>的阳极与所述输入级ESD保护电路的压焊点相连,所述二极管D<sub>1</sub>的阴极与所述二极管D<sub>2</sub>的阳极相连,所述二极管D<sub>2</sub>的阴极与所述输入级ESD保护电路的电源线V<sub>DD</sub>相连;所述二极管D<sub>3</sub>的阳极与所述二极管D<sub>4</sub>的阴极相连,所以二极管D<sub>4</sub>的阳极与所述输入级ESD保护电路的地线V<sub>SS</sub>相连,所述二极管D<sub>3</sub>的阴极与所述输入级ESD保护电路的压焊点相连;所述电源钳位ESD保护电路包括:PMOS晶体管M<sub>p1</sub>、NMOS晶体管M<sub>n1</sub>、NMOS晶体管M<sub>big</sub>、NMOS晶体管M<sub>fb</sub>、电阻R、电容C;所述M<sub>p1</sub>的源极与所述电源线V<sub>DD</sub>、所述M<sub>big</sub>的漏极以及所述电阻R的一端连接,电阻R的另一端与所述电容C、M<sub>p1</sub>的栅极、M<sub>n1</sub>的栅极以及M<sub>fb</sub>的漏极连接;所述电容C的另一端与所述M<sub>fb</sub>的源极、M<sub>n1</sub>的源极、M<sub>big</sub>的源极以及所述地线V<sub>SS</sub>连接;M<sub>fb</sub>的栅极与M<sub>big</sub>的栅极、M<sub>p1</sub>的漏极、M<sub>n1</sub>的漏极连接;所述ESD幅值特征探测模块包括电阻R<sub>1</sub>,NMOS晶体管M<sub>nc</sub>,反相器INV<sub>1</sub>、INV<sub>2</sub>、INV<sub>3</sub>以及INV<sub>4</sub>;所述电阻R<sub>1</sub>的一端与所述输入级ESD保护电路的压焊点连接;所述电阻R<sub>1</sub>的另一端与M<sub>nc</sub>的漏极、M<sub>nc</sub>的栅极、INV<sub>1</sub>的输入端连接;所述M<sub>nc</sub>的源极与所述地线V<sub>SS</sub>连接;INV<sub>1</sub>的输出端与INV<sub>2</sub>的输入端、INV<sub>3</sub>的输入端连接;所述INV<sub>2</sub>的输出端与控制信号ESDX连接;所述INV<sub>3</sub>的输出端与INV<sub>4</sub>的输入端连接;所述INV<sub>4</sub>的输出端与控制信号ESD连接;INV<sub>1</sub>、INV<sub>3</sub>以及INV<sub>4</sub>的电源端均与所述输入级ESD保护电路的压焊点相连,INV<sub>2</sub>的电源端与所述输入级ESD保护电路的电源线V<sub>DD</sub>相连;所述传输门模块包括:PMOS晶体管M<sub>pt</sub>,NMOS晶体管M<sub>nt</sub>;所述M<sub>pt</sub>的栅极与控制信号ESD连接;M<sub>pt</sub>的源极与M<sub>nt</sub>的漏极以及所述输入级ESD保护电路的压焊点相连;所述M<sub>nt</sub>的栅极与控制信号ESDX连接;M<sub>pt</sub>的漏极与M<sub>nt</sub>的源极、PMOS晶体管M<sub>p</sub>的栅极、NMOS晶体管M<sub>n</sub>的栅极连接。 |