发明名称 |
新型PIN结构的薄膜有机光探测器及其制备方法与应用 |
摘要 |
本发明公开了一种基于新型PIN结构的薄膜有机光探测器及其制备方法与应用。该薄膜有机光电导探测器,包括基底,PIN结构光敏感层和在其上的图案化的电极层。该探测器结合了本征有机层(P层和N层)的高迁移率和有机异质结层(I层,由P层与N层有机材料混合而成)能产生高浓度的光自由电荷的优点。高迁移率导致了短的电子渡越时间,高浓度的光自由电荷的产生意味着高的外量子效率。所以当光照射到器件上时,材料吸光产生载流子很快并大量的被电极收集从而产生高的光电流与光电性能,从而提高了探测器的灵敏度。因此,这种薄膜有机光探测器具有重要的应用价值。 |
申请公布号 |
CN103794726A |
申请公布日期 |
2014.05.14 |
申请号 |
CN201310740539.6 |
申请日期 |
2013.12.27 |
申请人 |
中国科学院化学研究所 |
发明人 |
靳志文;王吉政 |
分类号 |
H01L51/42(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/42(2006.01)I |
代理机构 |
北京庆峰财智知识产权代理事务所(普通合伙) 11417 |
代理人 |
刘元霞 |
主权项 |
一种薄膜有机光电导探测器,其特征在于,所述探测器包括基底,有机PIN结构光敏感层和在其上的图案化的电极层,其中,所述有机PIN结构光敏感层位于基底之上,所述电极层位于所述有机PIN结构光敏感层之上。优选地,所述光敏感层位于所述图案化的电极层的正极和负极之间。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村北一街2号 |