| 发明名称 | 用于等离子体处理腔室的静电夹盘组件及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于等离子体处理腔室中的静电夹盘的增强型涂层。所述增强型涂层利用等离子体增强型物理气相沉积制成。所述涂层通常是Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>，也可以是其他材料的组合。并且，它可以是多层涂层，以使得一中间涂层利用标准等离子体喷涂形成，一顶层涂层用PEPVD方式形成。整个静电夹盘组件可由涂层“封装”而成。 | ||
| 申请公布号 | CN103794445A | 申请公布日期 | 2014.05.14 |
| 申请号 | CN201210421961.0 | 申请日期 | 2012.10.29 |
| 申请人 | 中微半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 贺小明;倪图强 |
| 分类号 | H01J37/20(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I;H01J9/00(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 一种用于等离子体处理腔室的静电夹盘组件，其中，包括：基体：设置于所述基体之上的绝缘层；设置于所述绝缘层之上的电极；以及，由Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>或者YF<sub>3</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的混合物组成的增强型涂层，所述增强型涂层覆盖了所述静电夹盘组件，除了所述基体的背面的部分。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 | ||