FINFET及其制造方法

摘要

本公开关于一种鳍片场效应晶体管(FinFET)。FinFET的示例性结构包括具有顶面的基板；在基板顶面上并具有锥形顶面的第一绝缘区域和第二绝缘区域；延伸在第一和第二绝缘区域之间的基板顶面上的基板的鳍片，其中鳍片包括凹陷部分，其具有低于第一和第二绝缘区域的锥形顶面的顶面，其中鳍片包括非凹陷部分，其具有高于所述锥形顶面的顶面；和在所述鳍片的非凹陷部分上的栅极堆叠。

主权项

一种鳍片场效应晶体管FinFET，包括：基板，包含顶面；第一绝缘区域和第二绝缘区域，在所述基板顶面上且包含锥形顶表面；所述基板的鳍片，延伸在所述第一和第二绝缘区域之间的所述基板顶面上，其中所述鳍片包括凹陷部分，所述凹陷部分的顶面低于所述第一和第二绝缘区域的所述锥形顶面，其中所述鳍片包括非凹陷部分，所述非凹陷部分的顶面高于所述锥形顶面，在所述鳍片的所述凹陷部分和所述第一和第二绝缘区域的所述锥形顶面上选择性地生长应变材料；以及栅极堆叠，其在所述鳍片的所述非凹陷部分上。