制备三烷氧基硅烷的方法

摘要

本发明涉及一种制备SiH(OR₃)-型三烷氧基硅烷（其中，R为具有1-3个碳原子的甲基、乙基、丙基或异丙基基团）的方法，并且更具体地，所述方法包括下列步骤：通过在溶剂环境无需与空气接触下粉磨硅原材料防止硅表面的氧化作用以使得三烷氧基硅烷直接合成的初始诱导期显著减少；及通过使用反应器主体中提供的滤膜器持续选择部分溶剂以从反应环境中去除杂质。

主权项

一种制备三烷氧基硅烷的方法，其包括：(a)在溶剂环境中将硅粉磨至具有30‑100μm尺寸的精细颗粒，其中所述溶剂直接用于之后的三烷氧基硅烷合成工艺中；(b)通过以三烷氧基硅烷合成工艺反应中消耗的量向反应器持续进料硅和无水醇的悬浮液来持续合成三烷氧基硅烷，其中，消耗的悬浮液的量通过下面的反应式1从合成的三烷氧基硅烷的量计算，以使得作为悬浮液组分向反应器中进料的硅的量和反应工艺中反应完成后的硅的量保持相同，由此进料悬浮液以使得反应进度一致并且稳定，[反应式1]mSi=k1·mTES+k2·mTEOS其中，mTES为三乙氧基硅烷的质量，mTEOS为作为直接反应的结果每次所得四乙氧基硅烷的质量，及k1和k2分别为三乙氧基硅烷和四乙氧基硅烷合成工艺中消耗的硅的摩尔比；及(c)反应器中累积的杂质以使用陶瓷滤膜器从反应器中持续流出溶剂的形式去除，其中溶剂作为悬浮液组分以溶剂流出量持续向反应器进料来补充。