一种对电阻存储器进行编程的电路

摘要

本发明公开了一种对电阻存储器进行编程的电路，该电路持续施加激励电压到电阻存储器上，直至编程成功，并在编程成功之后立刻终止编程电信号，该电路包括一个RS触发器、一个电平偏置单元、一个电流镜电路和电流比较电路和一个反相器。利用本发明，提高了编程操作的可靠性，改善了存储器电阻状态的分布均一性。

主权项

一种对电阻存储器进行编程的电路，其特征在于，该电路持续施加激励电压到电阻存储器上，直至编程成功，并在编程成功之后立刻终止编程电信号，该电路包括一个RS触发器、一个电平偏置单元、一个由电流镜电路及电流比较电路组成的反馈单元、一个参考电阻和一个反相器，其中，RS触发器的输出控制电平偏置单元；电平偏置单元输出的电平用于对电阻存储器进行编程或擦除；反馈单元返回的信号使RS触发器复位；当参考电阻大小适当时，电阻存储器的电流变化会引起reset节点的电压变化这一电平变化再通过反相器使RS触发器复位；当电阻由高变为低时，支路中的电流由小变为大，Vctrl会由大变小，这一电平变化通过反相器后，将RS触发器复位，从而撤除编程电平；电阻由低阻状态变为高阻态后，支路中的电流变小，致使reset节点上的电压Vctrl由低电平变为高电平，该变化的电平再通过反相器将RS触发器复位，从而撤除编程电平；所述reset节点位于晶体管MP2与晶体管MN0之间，晶体管MN0从reset节点抽取的电流等于通过电阻存储单元Rcell的电流，而晶体管MP2向reset节点灌入的电流等于参考电流；所述支路的电流是通过晶体管MP1和电阻存储单元Rcell的电流；其中，晶体管MP0和晶体管MP2、晶体管MP1和晶体管MP3、晶体管MN0和晶体管MN1各构成一个电流镜，晶体管MP0和晶体管MP2构成的电流镜用于将Rref的电流传送到reset节点，电阻存储单元Rcell的电流通过晶体管MP1和晶体管MP3构成的电流镜与晶体管MN0和晶体管MN1构成的电流镜传送到reset节点。