发明名称 半导体存储器以及位元单元追踪方法
摘要 本发明包括半导体存储器以及位元单元追踪方法。一种半导体存储器的第一区段包括:第一存储器存储组,包括多个以行列排列的第一存储器单元以及配置在第一追踪行的第一追踪单元。第二存储器存储组,包括多个以行列排列的第二存储器单元以及配置在第二追踪行的第二追踪单元。当存取第一以及第二追踪单元时,第一追踪电路耦接至第一以及第二追踪单元以输出第一信号至存储器控制电路;其中上述存储器控制电路根据上述第一信号用以设定存储器时钟脉冲。本发明能使配置在存储器的追踪位元单元可独立追踪,且和传统半导体存储器和追踪方法相比能够产生一个更好的结果。
申请公布号 CN102385914B 申请公布日期 2014.05.14
申请号 CN201110037694.2 申请日期 2011.02.10
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 陶昌雄;蓝丽娇;陆崇基
分类号 G11C11/413(2006.01)I 主分类号 G11C11/413(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 张浴月;刘文意
主权项 一种半导体存储器,包括:一第一区段,包括:一第一存储器存储组,包括以行列排列的一第一多个存储器单元以及配置在一第一追踪行的一第一追踪单元;一第二存储器存储组,包括以行列排列的一第二多个存储器单元以及配置在一第二追踪行的一第二追踪单元,其中上述第二追踪行和上述第一追踪行以一第一方向相互排列在同一行;以及一第一追踪电路,耦接至上述第一以及上述第二追踪单元且配置在上述第一以及上述第二追踪单元之间,以及用以于存取上述第一追踪单元以及上述第二追踪单元时,输出一第一信号至一存储器控制电路;其中上述存储器控制电路根据上述第一信号用以设定存储器时钟脉冲。
地址 中国台湾新竹市