发明名称 |
可变电阻存储器件 |
摘要 |
一种可变电阻存储器件包括:多个列选择开关;多个可变电阻存储器单元,所述多个可变电阻存储器单元被配置成层叠并且通过多个列选择开关来选择;以及位线,所述位线与多个可变电阻存储器单元连接。多个可变电阻存储器单元中的每个包括双向阈值开关OTS元件以及与OTS元件并联连接的可变电阻器,所述OTS元件通过被布置成层叠的多个字线选择性地驱动。 |
申请公布号 |
CN103794619A |
申请公布日期 |
2014.05.14 |
申请号 |
CN201310192818.3 |
申请日期 |
2013.05.22 |
申请人 |
爱思开海力士有限公司 |
发明人 |
朴南均 |
分类号 |
H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/24(2006.01)I |
代理机构 |
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 |
代理人 |
俞波;许伟群 |
主权项 |
一种可变电阻存储器件,包括:半导体衬底;列选择开关,所述列选择开关形成在所述半导体衬底上;层叠栅,所述层叠栅形成在所述列选择开关上,其中,所述层叠栅包括被层叠成彼此绝缘的多个导电层;双向阈值开关OTS材料层,所述双向阈值开关材料层形成在所述层叠栅上,并且与所述列选择开关连接;以及可变电阻材料层,所述可变电阻材料层形成在所述OTS材料层的表面上。 |
地址 |
韩国京畿道 |