制造单晶铸硅的方法和装置以及用于光电领域的单晶铸硅实体

摘要

提供了铸造用于光电池及其它应用中的铸硅的方法及装置。采用这种方法及装置，可以形成单晶硅的铸造实体，其不含或基本不含径向分布的杂质和缺陷，具有各自为至少约35cm的至少两个尺寸。

主权项

一种铸硅制造方法，其包括：在容器中放置与至少一个硅籽晶接触的熔融硅，所述容器具有被加热到至少为硅的熔融温度的一个或多个侧壁以及至少一个冷却壁；通过测量熔融程度来使所述至少一个籽晶的所需部分熔融；并且通过冷却熔融硅以控制结晶，形成包含单晶硅的固体实体，所述固体实体具有各自为至少10cm的至少两个尺寸，其中所述形成包括在熔融硅的边缘处形成固‑液界面，该固‑液界面至少在初期与所述至少一个冷却壁平行，在冷却期间控制所述界面，从而使该界面在增大熔融硅与所述至少一个冷却壁之间距离的方向上移动。