| 发明名称 | 一种衬底的刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种衬底的刻蚀方法，其包括以下步骤：提供第一衬底；在第一衬底之上形成第一掩膜图形，第一掩膜图形穿透第一衬底；将第一衬底转移至第二衬底；以及通过第一衬底之上的第一掩膜图形对第二衬底进行刻蚀。采用本发明提出的衬底刻蚀方法，能够对难刻蚀材料进行深刻蚀，可以在刻蚀过程中提供足够的掩膜，在保证获得所需的刻蚀深度的同时，保证硬掩膜下的材料不被损伤。此外，该刻蚀方法更加简单方便，可靠性、安全性得到显著提高。 | ||
| 申请公布号 | CN103794488A | 申请公布日期 | 2014.05.14 |
| 申请号 | CN201210433685.X | 申请日期 | 2012.11.02 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 蒋中伟 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I;C23F1/02(2006.01)I;B23K26/362(2014.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 张大威 |
| 主权项 | 一种衬底的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：提供第一衬底；在所述第一衬底之上形成第一掩膜图形，所述第一掩膜图形穿透所述第一衬底；将所述第一衬底转移至第二衬底；以及通过所述第一衬底之上的第一掩膜图形对所述第二衬底进行刻蚀。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 | ||