一种平面相变存储器存储单元的结构及其制备方法

摘要

本发明提出一种平面相变存储器存储单元的结构及其制备方法，克服了现有相变存储器中相变存储单元的与CMOS逻辑工艺兼容难题，使用物理气相淀积技术，并省去了制备加热电极的步骤。这种结构制备过程中无需采用成本极高的金属有机物化学气相淀积技术或原子层淀积技术来生长相变材料，只需一般的物理气相淀积技术就能达到良好的性能。并且整个制备过程中相比逻辑CMOS工艺只增加一个掩膜，大大降低了生产成本和制造难度。对CMOS晶体管而言没有造成任何电路性能上的影响。

主权项

一种平面相变存储器存储单元的结构，包括一设置有器件结构的衬底，一设置于所述衬底上的含有下连接孔的介质层，其特征在于，还包括：一设置在所述介质层上的下绝缘层；设置于所述下绝缘层的部分表面上的由相变材料层、上绝缘层和绝缘包裹层组成的复合层；设置于所述下绝缘层的另一部分表面上的绝缘包裹层；分别贯穿所述复合层和所述绝缘包裹层的位于所述下连接孔上方的互连通孔，所述复合层内的互联通孔中设有金属互连层，所述金属互连层与所述下连接孔和所述相变材料层连接。