| 发明名称 | 基于插层结构C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>纳米片高性能湿敏材料及制备方法 | ||
| 摘要 | 一种基于插层结构C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>纳米片高性能湿敏材料，其是一种以C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>的原材料与碱金属氯化物以100：0.5～10质量比进行反应获得的碱金属氯化物插层C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>纳米片的高性能湿敏材料，其制备方法如下：称取C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>原材料与碱金属氯化物，经研磨混均后，装入马弗炉中，以5～20℃/min的速率升至450～600℃，并在该温度保持1～4个小时；待冷却后取出物料研细，放入溶剂中超声处理10～40分钟；将上面步骤制得的悬浊液离心分离，去掉上清液，在干燥箱中以40～100℃干燥1～8小时，得到碱金属氯化物插层C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>纳米片湿敏材料。该制备方法工艺简单、容易操作、成本低廉，并且所制备的高性能湿敏材料具有高灵敏度、快速响应-恢复速度以及优异的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN103787290A | 申请公布日期 | 2014.05.14 |
| 申请号 | CN201410022785.2 | 申请日期 | 2014.01.16 |
| 申请人 | 大连民族学院 | 发明人 | 张振翼;董斌;黄金斗;苑青 |
| 分类号 | C01B21/082(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 主分类号 | C01B21/082(2006.01)I |
| 代理机构 | 大连一通专利代理事务所(普通合伙) 21233 | 代理人 | 郭丽华 |
| 主权项 | 一种基于插层结构C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>纳米片高性能湿敏材料，其特征在于：本发明是一种以C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>的原材料与碱金属氯化物以100：0.5～10质量比进行反应获得的碱金属氯化物插层C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>纳米片的高性能湿敏材料。 | ||
| 地址 | 116600 辽宁省大连市开发区辽河西路18号大连民族学院 | ||