| 发明名称 | 复合膜高效晶体硅太阳能电池及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及晶体硅太阳能电池的制造技术，具体是一种复合膜高效晶体硅太阳能电池及其制造方法。本发明的复合膜高效晶体硅太阳能电池包括有硅衬底、沉积在硅衬底上的SiN<sub>x</sub>材料层、沉积在SiN<sub>x</sub>材料层上的SiON<sub>y</sub>材料层；所述SiN<sub>x</sub>材料层的不同厚度处折射率在2.0-2.3范围变化；所述SiON<sub>y</sub>材料层的不同厚度处折射率在1.5-1.9范围变化。本发明能够提高晶体硅太阳能电池效率、有利于消除PID效应。 | ||
| 申请公布号 | CN103794658A | 申请公布日期 | 2014.05.14 |
| 申请号 | CN201410039368.9 | 申请日期 | 2014.01.27 |
| 申请人 | 镇江大全太阳能有限公司 | 发明人 | 张良;李良;闻震利;连锦坤;王霞 |
| 分类号 | H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/42(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0216(2014.01)I |
| 代理机构 | 镇江京科专利商标代理有限公司 32107 | 代理人 | 夏哲华 |
| 主权项 | 一种复合膜高效晶体硅太阳能电池，其特征是：它包括有硅衬底、沉积在硅衬底上的SiN<sub>x</sub>材料层、沉积在SiN<sub>x</sub>材料层上的SiON<sub>y</sub>材料层；所述SiN<sub>x</sub>材料层的不同厚度处折射率在2.0‑2.3范围变化；所述SiON<sub>y</sub>材料层的不同厚度处折射率在1.5‑1.9范围变化。 | ||
| 地址 | 212211 江苏省镇江市扬中市新坝镇新中南路66号 | ||