| 发明名称 | 生产高纯硅的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种生产高纯硅的方法，所述方法包括提供含有1-10％重量钙的熔融硅、浇铸所述熔融硅、破碎所述硅、将破碎的硅在HCl和/或HCl+FeCl<sub>3</sub>的水溶液中进行第一溶浸步骤，以及在HF和HNO<sub>3</sub>的水溶液中进行第二溶浸步骤。此后，在1250℃-1420℃的温度对溶浸的硅颗粒进行热处理至少20分钟的时间，并在HF和HNO<sub>3</sub>水溶液中对热处理的硅进行第三溶浸步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN102369158B | 申请公布日期 | 2014.05.14 |
| 申请号 | CN201080011131.X | 申请日期 | 2010.09.09 |
| 申请人 | 埃尔凯姆太阳能公司 | 发明人 | K·泽艾特 |
| 分类号 | C01B33/037(2006.01)I;C01B33/02(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/037(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李进;林毅斌 |
| 主权项 | 一种生产高纯硅的方法，所述方法包括提供含有1‑10%重量钙的熔融硅；浇铸所述熔融硅；破碎所述硅；将破碎的硅在HCl和/或HCl＋FeCl<sub>3</sub>的水溶液中进行第一溶浸步骤以及在HF和HNO<sub>3</sub>的水溶液中进行第二溶浸步骤，其特征在于，在1250℃‑1420℃的温度对溶浸的硅颗粒进行热处理至少20分钟的时间，并在HF和HNO<sub>3</sub>的水溶液中对热处理的硅进行第三溶浸步骤。 | ||
| 地址 | 挪威奥斯陆 | ||