金属栅极的形成方法

摘要

一种金属栅极的形成方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底表面依次形成界面材料层、高K介质层和多晶硅层；对多晶硅层表面进行第一氮化处理，在多晶硅层表面形成氮硅化合物；第一氮化处理后，在多晶硅层上形成硬掩膜层，硬掩膜层具有暴露多晶硅层表面的氮硅化合物的开口；沿开口刻蚀所述多晶硅层、高K介质层和界面材料层，形成界面层、高K栅介质层和伪栅；在半导体衬底表面形成层间介质层，层间介质层的表面与伪栅顶部表面齐平；去除所述伪栅，形成凹槽；在凹槽中填充满金属，形成金属栅极。氮硅化合物能阻止氧元素穿过多晶硅层与半导体衬底表面的硅反应形成氧化硅，使界面材料层的厚度保持不变。

主权项

一种金属栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面依次形成界面材料层、高K介质层和多晶硅层；对所述多晶硅层表面进行第一氮化处理，在多晶硅层表面形成氮硅化合物；第一氮化处理后，在多晶硅层上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层具有暴露多晶硅层表面的氮硅化合物的开口；沿开口刻蚀所述多晶硅层、高K介质层和界面材料层，形成位于半导体衬底表面的界面层、位于界面层上的高K栅介质层和位于高K介质层上的伪栅；在所述半导体衬底表面形成层间介质层，层间介质层的表面与伪栅顶部表面齐平；去除所述伪栅，形成凹槽；在凹槽中填充满金属，形成金属栅极。