| 发明名称 | 一种高阻尼形状记忆合金及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公布了一种高阻尼形状记忆合金及其制备方法，该形状记忆合金的化学式为Ni<sub>55-x</sub>Cu<sub>x</sub>Mn<sub>25</sub>Ga<sub>20</sub>(0≤x≤6)；按照Ni<sub>55-x</sub>Cu<sub>x</sub>Mn<sub>25</sub>Ga<sub>20</sub>的化学计量比，将Ni、Cu、Mn和Ga单质放入电弧熔炼炉中，并抽真空再充入氩气在110A下熔炼得到铸锭，并将铸锭反复熔炼后经高温固溶处理后淬火至室温，得到高阻尼形状记忆合金。对Ni<sub>55-x</sub>Cu<sub>x</sub>Mn<sub>25</sub>Ga<sub>20</sub>形状记忆合金体系的阻尼测试表明，这些样品具有高阻尼峰，阻尼峰值Q<sup>-1</sup>均大于0.03，最大峰值达到0.0771。阻尼峰的温度范围很宽，可达到200K-430K，完全覆盖环境温区，且阻尼峰不随频率变化、稳定性高，具有实际应用价值。 | ||
| 申请公布号 | CN103789597A | 申请公布日期 | 2014.05.14 |
| 申请号 | CN201410022995.1 | 申请日期 | 2014.01.17 |
| 申请人 | 西安交通大学 | 发明人 | 王宇;廖晓奇;黄崇辉;杨森;宋晓平 |
| 分类号 | C22C30/00(2006.01)I;C22C1/02(2006.01)I;C22F1/00(2006.01)I | 主分类号 | C22C30/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人 | 蔡和平 |
| 主权项 | 一种高阻尼形状记忆合金，其特征在于，该形状记忆合金的化学式为Ni<sub>55‑x</sub>Cu<sub>x</sub>Mn<sub>25</sub>Ga<sub>20</sub>，其中，0≤x≤6。 | ||
| 地址 | 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号 | ||