发明名称 |
最大亮度提升模块、可控硅调光LED驱动电路及系统 |
摘要 |
本发明提供了一种可控硅调光LED驱动电路,第二MOS晶体管的漏极接一功率开关MOS晶体管的源极,其源极连接一采样电阻;最大亮度提升模块的输出端通过其内部的第一MOS晶体管的漏极电学连接至峰值电流比较器第一输入端以及前馈电阻,第一MOS晶体管输出的电流信号流经前馈电阻产生直流偏压;峰值电流比较器第一输入端通过前馈电阻与采样电阻电学连接,其第二输入端与参考电压源的输出端电学连接,其输出端耦接至第二MOS晶体管的栅极,峰值电流比较器用于将前馈电阻及采样电阻的电压幅值之和与参考电压源的电压阈值比较,控制第二MOS晶体管的导通与关闭。本发明通过最大亮度提升模块提高了驱动电路连接可控硅调光器时的最大电流。 |
申请公布号 |
CN103796389A |
申请公布日期 |
2014.05.14 |
申请号 |
CN201410046299.4 |
申请日期 |
2014.02.10 |
申请人 |
上海晶丰明源半导体有限公司 |
发明人 |
杜磊;宗强;孙顺根 |
分类号 |
H05B37/02(2006.01)I |
主分类号 |
H05B37/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 |
代理人 |
孙佳胤 |
主权项 |
一种最大亮度提升模块,其特征在于,包括:一运算放大器、一第一MOS晶体管以及一基准电压源; 所述运算放大器的第一输入端为所述最大亮度提升模块的输入端,用以接收一采样电压信号,其第二输入端与所述基准电压源的输出端电学连接,其输出端电学连接至所述第一MOS晶体管的栅极,所述运算放大器控制所述第一MOS晶体管的导通阻抗,所述运算放大器闭环工作时保证两个输入端电压相等; 所述第一MOS晶体管的源极电学连接至所述运算放大器的第一输入端,其漏极为所述最大亮度提升模块的输出端,输出一电流信号用以控制一LED驱动电路的输出电流。 |
地址 |
201204 上海市浦东新区张江高科技园区毕升路299弄10号3层 |