| 发明名称 | 一种半导体器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括提供半导体衬底，所述衬底包括基底、氧化物层以及半导体材料层；在所述衬底上形成图案化的硬掩膜层，所述硬掩膜层具有多个开口；以所述硬掩膜层为掩膜蚀刻所述半导体材料层，以形成Σ形凹槽；在所述凹槽中外延生长SiGe层，以形成鳍片；去除所述硬掩膜层，以露出所述半导体材料层；蚀刻所述半导体材料层，以露出所述鳍片。本发明所述方法首先在本发明中在SOI衬底上形成硬掩膜层后，控制蚀刻条件形成Σ形凹槽，然后外延生长SiGe层，得到菱形的鳍片，最后形成周围栅极（gate all around,GAA），使得鳍片下表面完全用作沟道区，可以进一步在增大工作电流，进一步提高器件的集成度和性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103794498A | 申请公布日期 | 2014.05.14 |
| 申请号 | CN201210422427.1 | 申请日期 | 2012.10.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 禹国宾 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述衬底包括基底、氧化物层以及半导体材料层；在所述衬底上形成图案化的硬掩膜层，所述硬掩膜层具有多个开口；以所述硬掩膜层为掩膜蚀刻所述半导体材料层，以形成Σ形凹槽；在所述凹槽中外延生长SiGe层，以形成鳍片；去除所述硬掩膜层，以露出所述半导体材料层；蚀刻所述半导体材料层，以露出所述鳍片。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||