发明名称 先镀后刻四面无引脚封装结构及其制造方法
摘要 本发明涉及一种先镀后刻四面无引脚封装结构及其制造方法,它包括外引脚(2),所述外引脚(2)正面通过多层电镀方式形成内引脚(4),所述内引脚(4)与内引脚(4)之间设置有芯片(5),所述内引脚(4)正面延伸到芯片(5)旁边,所述芯片(5)正面与内引脚(4)正面之间用金属线(6)连接,所述内引脚(4)、芯片(5)和金属线(6)外包封有塑封料(7),所述外引脚(2)的背面设置有第二金属层(9)。本发明的有益效果是:它省去了金属基板双面蚀刻的作业工序,降低了工序作业的成本,而且由于内引脚采用多层电镀方式形成,外引脚采用先镀后刻的方式形成,因此实现了内引脚和外引脚的高密度能力。
申请公布号 CN102420206B 申请公布日期 2014.05.14
申请号 CN201110389758.5 申请日期 2011.11.30
申请人 江苏长电科技股份有限公司 发明人 王新潮;梁志忠;谢洁人;吴昊
分类号 H01L23/495(2006.01)I;H01L23/49(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/495(2006.01)I
代理机构 江阴市同盛专利事务所(普通合伙) 32210 代理人 唐纫兰
主权项 一种先镀后刻四面无引脚封装结构的制造方法,其特征在于所述方法包括以下工艺步骤:步骤一、取金属基板步骤二、贴膜作业利用贴膜设备在金属基板的正面及背面分别贴上能够进行曝光显影的光刻胶膜,步骤三、金属基板正面去除部分图形的光刻胶膜利用曝光显影设备将步骤二完成贴膜作业的金属基板正面进行图形的曝光、显影与去除部分图形的光刻胶膜,以露出金属基板正面后续需要进行电镀的区域图形,步骤四、电镀第一金属层对步骤三中金属基板正面去除部分光刻胶膜的图形区域内通过多层电镀方式形成第一金属层,步骤五、金属基板正面及背面去膜作业将金属基板正面及背面余下的光刻胶膜去除,在金属基板正面相对形成内引脚,步骤六、装片打线在步骤五形成的内引脚之间的金属基板正面通过导电或不导电粘结物质进行芯片的植入,以及在芯片正面与内引脚正面之间进行键合金属线作业,步骤七、包封利用塑封料注入设备,将已完成芯片植入以及键合金属线作业的金属基板进行包封塑封料作业,并进行塑封料包封后的固化作业,步骤八、贴膜作业利用贴膜设备在完成包封以及固化作业的金属基板在正面及背面分别贴上能够进行曝光显影的光刻胶膜,步骤九、金属基板背面去除部分图形的光刻胶膜利用曝光显影设备将步骤八完成贴膜作业的金属基板背面进行图形的曝光、显影与去除部分图形的光刻胶膜,以露出金属基板背面后续需要进行电镀的区域图形,步骤十、电镀第二金属层在步骤九中金属基板背面去除部分光刻胶膜的图形区域内电镀第二金属层,步骤十一、金属基板正面及背面去膜作业将金属基板正面及背面余下的光刻胶膜去除,步骤十二:贴膜作业利用贴膜设备在完成电镀第二金属层且去除余下光刻胶膜后的金属基板在正面及背面再次贴上能够进行曝光显影的光刻胶膜,步骤十三、金属基板背面去除部分图形的光刻胶膜利用曝光显影设备将步骤十二完成贴膜作业的金属基板背面进行图形的曝光、显影与去除部分图形的光刻胶膜,以露出金属基板背面后续需要进行蚀刻的区域图形,步骤十四、金属基板背面进行全蚀刻或半蚀刻作业对步骤十三中金属基板背面去除部分光刻胶膜的图形区域同时进行全蚀刻或半蚀刻,在金属基板背面形成凹陷的蚀刻区域,同时相对形成外引脚,步骤十五、金属基板正面及背面去膜作业将金属基板正面及背面余下的光刻胶膜去除,步骤十六、金属基板背面蚀刻区域填充填缝剂在所述金属基板背面的蚀刻区域内利用填充的设备进行充填填缝剂,并进行填缝剂充填或包封后的后固化作业,步骤十七、切割成品将步骤十六完成包封以及固化作业的半成品进行切割作业,使原本以阵列式集合体方式集成在一起并含有芯片的塑封体模块一颗颗切割独立开来,制得先镀后刻四面无引脚封装结构成品。
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