发明名称 | 一种相变随机存储器及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种相变随机存储器及其制造方法,所述方法包括下列步骤:提供相变随机存储器前端器件,其包括底部电极以及位于底部电极之上与其接触的相变材料层;在所述前端器件上形成顶部电极,包括下列步骤:在所述前端器件上沉积第一金属层;在所述第一金属层上沉积金属氧化物层;在所述金属氧化物层上沉积第二金属层。根据本发明的制造相变随机存储器的方法,能够有效地减小相变随机存储器顶部电极的导热性,减少相变随机存储器的热损失,降低相变材料的复位电流,从而提高制造相变随机存储器器件的良品率,并且同时具有简单的制造流程和较低的成本。 | ||
申请公布号 | CN102694120B | 申请公布日期 | 2014.05.14 |
申请号 | CN201110068926.0 | 申请日期 | 2011.03.22 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 任万春 |
分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
主权项 | 一种相变随机存储器的制造方法,包括下列步骤:提供相变随机存储器前端器件,其包括底部电极以及位于底部电极之上与其接触的相变材料层;在所述前端器件上形成顶部电极,其中形成顶部电极包括下列步骤:在所述前端器件上沉积第一金属层;在所述第一金属层上沉积金属氧化物层;在所述金属氧化物层上沉积第二金属层。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |