发明名称 КАНАЛЬНАЯ МАТРИЦА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ
摘要 1. Канальная матрица, состоящая из пластины монокристаллического кремния дырочного типа с вскрытыми каналами, осажденного материала на фронтальной поверхности пластины монокристаллического кремния дырочного типа с вскрытыми каналами, отличающаяся тем, что на поверхности пластины монокристаллического кремния дырочного типа с вскрытыми каналами создан диэлектрический слой двуокиси кремния, а на фронтальную поверхность пластины монокристаллического кремния дырочного типа с вскрытыми каналами, имеющими заданный поперечный размер, нанесена металлическая пленка.2. Канальная матрица по п.1, отличающаяся тем, что диэлектрический слой двуокиси кремния создан между осажденным материалом и пластиной монокристаллического кремния дырочного типа с вскрытыми каналами.3. Канальная матрица по п.1 или 2, отличающаяся тем, что на поверхность металлической пленки нанесена диэлектрическая пленка.4. Способ изготовления канальной матрицы, включающий создание упорядоченно расположенных затравочных ямок на фронтальной поверхности пластины монокристаллического кремния дырочного типа, формирование омического контакта на тыльной поверхности пластины монокристаллического кремния дырочного типа, анодное травление в растворе электролитов, содержащем ионы водорода и фтора, вскрытие каналов и осаждение материалов на фронтальную поверхность пластины монокристаллического кремния дырочного типа с вскрытыми каналами до получения заданного поперечного размера каналов, отличающийся тем, что после вскрытия каналов выполняют высокотемпературное окисление в газовой среде пластины монокристаллического кремния дырочного тип
申请公布号 RU2012146733(A) 申请公布日期 2014.05.10
申请号 RU20120146733 申请日期 2012.11.01
申请人 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) 发明人 Романов Сергей Иванович;Филиппов Николай Степанович;Паращенко Максим Александрович
分类号 H01L21/00;B82B3/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人
主权项
地址