| 摘要 |
1. Резистивный флэш элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку с выполненным на ее рабочей поверхности проводящим электродом, на котором расположен слой диэлектрика, на слое диэлектрика выполнен второй проводящий электрод, отличающийся тем, что проводящий электрод со стороны диэлектрика снабжен выступом, обеспечивающим локализацию формирования проводящей электрический ток нити через диэлектрик и необходимую напряженность электрического поля для формирования нити и протекания электрического тока.2. Резистивный флэш элемент памяти по п.1, отличающийся тем, что со стороны диэлектрика выступом, обеспечивающим локализацию формирования проводящей электрический ток нити через диэлектрик и необходимую напряженность электрического поля для формирования нити и протекания электрического тока, снабжен проводящий электрод, выполненный на рабочей поверхности подложки, или второй проводящий электрод, выполненный на слое диэлектрика.3. Резистивный флэш элемент памяти по п.1, отличающийся тем, что проводящий электрод, на котором расположен слой диэлектрика, и второй проводящий электрод на слое диэлектрика выполнены слоем толщиной от 10 до 100 нм с использованием следующего материала: Ni, Cr, Pt, Au, Cu, Ti, Та, Al, TiN, TaN.4. Резистивный флэш элемент памяти по п.1, отличающийся тем, что слой диэлектрика, расположенный на проводящем электроде на рабочей поверхности полупроводниковой подложки, на котором выполнен второй проводящий электрод, сформирован толщиной от 2 до 100 нм с использованием следующего материала: TiO, TaO, NiO, NbO, CrO, HfO, ZrO, GeO, SiO, SrTiO.5. Резистивный флэш элемент памяти по п.1, отличающийся тем, что выступ со стороны диэ |
