PROCEDE DE REALISATION D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A CANAL SIGE PAR IMPLANTATION IONIQUE

摘要

Le substrat de type semi-conducteur sur isolant comporte un support (1), un film électriquement isolant (2), un film cristallin en matériau semi-conducteur (3), une couche de protection (4). Des ions de germanium sont implantés dans le film en matériau semi-conducteur (3) à travers la couche de protection (4) de manière à former une zone amorphisée en contact avec la couche de protection (4) et une zone cristalline en contact avec le film électriquement isolant (2). Le film en matériau semi-conducteur (3) est recuit de manière à recristalliser la zone amorphisée à partir de la zone cristalline.