| 摘要 |
<p>본 발명은 삼염화실란(trichlorosilane, 이하, TCS)의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전자급 혹은 태양전지급 실리콘(silicon) 생산을 위해 사염화실란(STC)으로 삼염화실란(TCS)을 제조하는 공정에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따라 사염화실란(STC)으로 부터 삼염화실란(TCS)을 제조하는 공정은, 트리클 베드 반응기(trickle bed reactor)에 촉매를 충진하는 단계; 상기 반응기로 액상의 사염화실란과 기상의 수소를 공급하는 단계; 상기 반응기 내 촉매 상에서 상기 액상 사염화실란과 기상의 수소에 대하여 하기 반응식 1의 반응이 수행되는 단계; 및 상기 반응을 통해 생성된 기상의 삼염화실란과 염화수소 생성물을 분리하는 단계를 포함하며, 본 발명에 따르면 300℃ 이하 반응조건에서도 사염화실란의 전환율을 40 % 이상으로 얻을 수 있고, 고순도의 삼염화실란을 연속적으로 공정의 중단없이 얻을 수 있는 이점이 있으며, 액상의 미 반응 사염화실란과 기상의 삼염화실란 및 염화수소의 분리가 용이해져서 반응속도가 증가하고 종전의 기술과 비교하여 분리탑 설치 운전에 따른 분리비용이 감소하는 장점이 있다: <반응식 1> SiCl(l) + H(g)→SiHCl(g) + HCl(g).</p> |
