发明名称 |
Epitaktischer Lift-Off mit hohem Durchsatz für flexible Elektronik |
摘要 |
Es wird ein Verfahren zum Entfernen einer Halbleitereinheit-Schicht von einem darunterliegenden Grundsubstrat bereitgestellt, wobei zwischen einer Halbleitereinheit-Schicht und einem Grundsubstrat eine phosphidhaltige Opferschicht gebildet wird. In einigen Ausführungsformen kann eine Halbleiterpufferschicht auf einer Oberseite des Grundsubstrats gebildet werden, bevor die Phosphid-Puffer-Opferschicht gebildet wird. Die resultierende Struktur wird dann mit einem Nicht-HF-Ätzmittel geätzt, um die Halbleitereinheit-Schicht vom Halbleitergrundsubstrat abzulösen. Nach dem Ablösen der Halbleitereinheit-Schicht vom Grundsubstrat kann das Grundsubstrat wiederverwendet werden. |
申请公布号 |
DE112012003409(T5) |
申请公布日期 |
2014.05.08 |
申请号 |
DE20121103409T |
申请日期 |
2012.09.10 |
申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS CORPORATION |
发明人 |
SHIU, KUEN-TING;CHENG, CHENG-WEI |
分类号 |
H01L21/311 |
主分类号 |
H01L21/311 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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