| 摘要 |
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe, umfassend:a) Bereitstellen einer Halbleiterscheibe durch Auftrennen eines Siliciumstabs in Scheiben; b) Verrunden der Kante der Halbleiterscheibe, so dass die Halbleiterscheibe auf Vorder- und Rückseite ebene und im Randbereich gerundete und schräge Flächen umfasst; c) Polieren der Vorder- und Rückseite der Halbleiterscheibe, wobei die Politur der Vorderseite eine chemisch-mechanische Politur unter Verwendung eines Poliertuchs, welches frei von fest im Poliertuch gebundenen Abrasiven ist, umfasst; wobei die Politur der Rückseite der Halbleiterscheibe in drei Schritten jeweils unter Verwendung eines Poliertuchs, das einen im Poliertuch gebundenen Abrasivstoff enthält und das mit einem Polierdruck auf die Rückseite der Halbleiterscheibe gedrückt wird, erfolgt, wobei im ersten Schritt eine Poliermittellösung, welche frei von Feststoffen ist, im zweiten und dritten Schritt dagegen eine Poliermittelsuspension, die abrasive Stoffe enthält, zwischen Poliertuch und Rückseite der Halbleiterscheibe gebracht wird, wobei ein Polierdruck im ersten und zweiten Schritt von 55,2–103,4 kPa im dritten Schritt auf 3,4–34,4 kPa reduziert wird, wobei vor oder nach Schritt c) eine Politur der Kante der Halbleiterscheibe erfolgt, bei der ebenfalls ein Poliertuch enthaltend fest gebundene Abrasive verwendet und in einem ersten Schritt eine Poliermittellösung, welche frei von Feststoffen ist, in einem zweiten Schritt dagegen eine Poliermittelsuspension, die abrasive Stoffe enthält, zwischen Poliertuch und Kante der Halbleiterscheibe gebracht wird. |
