Metallgate-FINFET-Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

摘要

Verfahren, das Folgendes umfasst: Bereitstellen eines Substrats (102) mit einer Finne, die sich von dem Substrat (102) erstreckt, wobei ein Shallow Trench Isolation(STI)-Strukturelement (106) neben der Finne angeordnet wird und die Finne eine Finnenhöhe (Hfin) aufweist, die über das STI-Strukturelement (106) hinausragt; und Ausbilden einer Metallgatestruktur (108) auf der Finne, wobei das Ausbilden der Metallgatestruktur Folgendes enthält: Ausbilden einer Verspannungsmetallschicht (110) auf der Finne (104) dergestalt, dass sich die Verspannungsmetallschicht (110) auf eine erste Höhe (Hsm) oberhalb des STI-Strukturelements (106) erstreckt, wobei die erste Höhe (Hsm) größer ist als die Finnenhöhe (Hfin) und die Finnenhöhe (Hfin) kleiner ist als eine Dicke der Verspannungsmetallschicht (110), die auf dem STI-Strukturelement (106) angeordnet ist; und Ausbilden einer Leitungsmetallschicht (112) auf der Verspannungsmetallschicht (110).