| 摘要 |
FinFET에 응력 기억 기술(SMT: stress memorization technique)을 수행하기 위한 방법과, 다중-평면 전위를 포함하는 기억되는 응력 효과를 갖는 FinFET가 개시된다. 예시적 실시예는 기판과, 기판상의 핀 구조와, 핀 구조들 사이에 위치한 분리 영역과, 핀 구조의 일부분 위에 위치한 게이트 스택을 포함하는 FinFET 전구체를 수용하는 단계를 포함한다. 게이트 스택은 핀 구조의 소스 영역을 핀 구조의 드레인 영역으로부터 분리시키고, 이 두 개의 영역들 사이에 게이트 영역을 생성한다. 실시예는 핀 구조, 분리 영역과 게이트 스택 각각의 적어도 일부분 위에 응력-기억 기술(SMT) 캡핑층을 형성하는 단계와, 에너지가 많은 도핑종을 주입함으로써 FinFET 전구체에 사전-비정질화 주입을 수행하는 단계와, FinFET 전구체에 어닐링 공정을 수행하는 단계와, SMT 캡핑층을 제거하는 단계를 또한 포함한다. |
