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<p>다공성 저유전율 유전체층에 이중 다마신 피처를 형성하는 방법이 제공된다. 다공성 저유전율 유전체층에 비아가 형성된다. 다공성 저유전율 유전체층 상에 상기 비아를 충전하는 유기 평탄화층이 형성된다. 유기 평탄화층 상에 포토레지스트 마스크가 형성된다. 유기 평탄화층으로 피처를 에칭하는 단계는 CO함유 에칭 가스를 제공하는 단계와 유기 평탄화층을 에칭하는 CO함유 에칭 가스로부터 플라즈마를 형성하는 단계를 포함한다. 유기 평탄화층을 마스크로서 이용하여 다공성 저유전율 유전체층으로 트렌치가 에칭된다. 유기 평탄화층이 스트립된다.</p> |
