| 摘要 |
<p>본 발명은 (1) 감방사선성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 레지스트막 형성 공정, (2) 노광 공정, 및 (3) 유기 용매를 80질량% 이상 함유하는 현상액을 이용하는 현상 공정을 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법으로서, 상기 감방사선성 수지 조성물이 [A] 산해리성기를 갖는 베이스 중합체, [B] [A] 중합체보다 불소 원자 함유율이 높은 중합체, [C] 감방사선성 산 발생체, [D] 용매, 및 [E] [D] 용매의 비유전율보다 15 이상 큰 비유전율을 갖는 화합물을 함유하고, 상기 [E] 화합물이 [A] 중합체 100질량부에 대하여 10질량부 이상 200질량부 이하 함유하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성 방법에 관한 것이다.</p> |
