| 发明名称 | 一种IGBT芯片结构 | ||
| 摘要 | 一种IGBT芯片结构，它主要包括栅极焊盘、发射极焊盘、栅极总线，其特征在于所述IGBT芯片的版图布局呈为中心对称结构，所述栅极焊盘设置于IGBT芯片的正面；栅极总线设置在芯片横向中心、纵向中心并且在芯片横向中心、纵向中心处连接栅极焊盘；栅极总线设置在芯片外围形成环状，并且在芯片横向中心和纵向中心处连接栅极焊盘引出来的栅极总线；所述发射极设置在栅极总线和栅极焊盘围绕的区域内，并对称的开出四个发射极焊盘。 | ||
| 申请公布号 | CN103779403A | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN201410033274.0 | 申请日期 | 2014.01.24 |
| 申请人 | 嘉兴斯达微电子有限公司 | 发明人 | 红梅 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人 | 翁霁明 |
| 主权项 | 一种IGBT芯片结构，它主要包括栅极焊盘、发射极焊盘、栅极总线，其特征在于所述IGBT芯片的版图布局呈为中心对称结构，所述栅极焊盘设置于IGBT芯片的正面中央；栅极总线设置在芯片横向中心、纵向中心并且在芯片横向中心、纵向中心处连接栅极焊盘；栅极总线设置在芯片外围形成环状，并且在芯片横向中心和纵向中心处连接栅极焊盘引出来的栅极总线；所述发射极设置在栅极总线和栅极焊盘围绕的区域内，并对称的开出四个发射极焊盘。 | ||
| 地址 | 314006 浙江省嘉兴市中环南路斯达路18号 | ||