| 发明名称 | 包含湿蚀刻制程以移除氮化硅的半导体结构形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及包含湿蚀刻制程以移除氮化硅的半导体结构形成方法，揭示于本文的方法包括：提供包含晶体管的半导体结构，该晶体管包含栅极电极与形成于该栅极电极的氮化硅侧壁间隔体。执行湿蚀刻制程。该湿蚀刻制程移除该氮化硅侧壁间隔体的至少一部分。该湿蚀刻制程包括应用包含氢氟酸与磷酸中的至少一个的蚀刻剂。 | ||
| 申请公布号 | CN103779207A | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN201310486485.5 | 申请日期 | 2013.10.17 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | B·赖默;S·拜尔;J·冯克卢格 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种方法，包含：提供包含晶体管的半导体结构，该晶体管包含栅极电极与形成于该栅极电极的氮化硅侧壁间隔体；以及执行移除该氮化硅侧壁间隔体的至少一部分的湿蚀刻制程，其中，该湿蚀刻制程包括应用包含氢氟酸与磷酸中的至少一个的蚀刻剂。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||