发明名称 |
一种太赫兹波气体浓度传感装置 |
摘要 |
本发明公开了一种太赫兹波气体浓度传感装置,它包括品质因子大于5000的一维光子晶体谐振腔和气室,一维光子晶体谐振腔包括半导体基片、气体层和缺陷层,半导体基片的数量为大于等于6的偶数个;缺陷层由气体构成,缺陷层与气室连通,缺陷层的两侧置有相同数量的所述半导体基片,且位于缺陷层的同一侧的相邻半导体基片之间通过支撑环分隔而形成气体层;气体层与气室通过支撑环相连通;气室设有进气口和出气口。本发明根据太赫兹波透射谱中透射峰位置的偏移,可得到气体的浓度信息。本发明的气体浓度传感装置结构简单,并可在气室常压、室温条件下工作,检测结果不受湿度的影响,可满足在太赫兹波气体传感领域应用的要求。 |
申请公布号 |
CN103776796A |
申请公布日期 |
2014.05.07 |
申请号 |
CN201410026365.1 |
申请日期 |
2014.01.20 |
申请人 |
中国计量学院 |
发明人 |
洪治;陈涛;刘建军;刘平安 |
分类号 |
G01N21/3586(2014.01)I;G01N21/3504(2014.01)I |
主分类号 |
G01N21/3586(2014.01)I |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 33200 |
代理人 |
陈昱彤 |
主权项 |
一种太赫兹波气体浓度传感装置,其特征在于:包括品质因子大于5000的一维光子晶体谐振腔和气室,所述一维光子晶体谐振腔包括半导体基片、气体层和缺陷层,半导体基片的数量为大于等于6的偶数个;所述缺陷层由气体构成,所述缺陷层与所述气室连通,所述缺陷层的两侧置有相同数量的所述半导体基片,且位于所述缺陷层的同一侧的相邻半导体基片之间通过支撑环分隔而形成所述气体层;所述气体层与所述气室通过支撑环相连通;所述气室设有进气口和出气口。 |
地址 |
310018 浙江省杭州市下沙高教园区学源街258号 |