发明名称 |
热处理装置 |
摘要 |
本发明涉及半导体处理装置,公开了一热处理装置,包括加热层及夹层,夹层环绕待加热样品以形成加热腔,加热层设置在加热腔内,用于加热待加热样品,夹层内部中空,以允许外界气体进入所述夹层。本发明通过在热处理装置中设置一内部中空的夹层,并控制夹层内部气体压力,当热处理装置升温并至保温阶段,控制夹层内部气体压力为负压,减小热传递及热对流带来的热损失,使热处理装置内部温度快速到达工艺温度,到达工艺温度进行保温时,能降低维持工艺温度的能耗;当热处理装置降温时,控制夹层内部压力为非负压状态,并使气体处于流动状态带走热量,达到热处理装置快速升降温的效果,实现降低热处理装置升温/保温能耗的目的。 |
申请公布号 |
CN103774237A |
申请公布日期 |
2014.05.07 |
申请号 |
CN201410058339.7 |
申请日期 |
2014.02.20 |
申请人 |
北京七星华创电子股份有限公司 |
发明人 |
孙少东;周厉颖;王丽荣 |
分类号 |
C30B33/02(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I |
主分类号 |
C30B33/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;陶金龙 |
主权项 |
一种热处理装置,其特征在于,包括加热层及夹层,所述夹层为非金属材料,其内部表面光滑且内部中空,并环绕待加热样品形成加热腔;所述加热层位于所述夹层内侧,设置在所述加热腔内。 |
地址 |
100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号 |