发明名称 热处理装置
摘要 本发明涉及半导体处理装置,公开了一热处理装置,包括加热层及夹层,夹层环绕待加热样品以形成加热腔,加热层设置在加热腔内,用于加热待加热样品,夹层内部中空,以允许外界气体进入所述夹层。本发明通过在热处理装置中设置一内部中空的夹层,并控制夹层内部气体压力,当热处理装置升温并至保温阶段,控制夹层内部气体压力为负压,减小热传递及热对流带来的热损失,使热处理装置内部温度快速到达工艺温度,到达工艺温度进行保温时,能降低维持工艺温度的能耗;当热处理装置降温时,控制夹层内部压力为非负压状态,并使气体处于流动状态带走热量,达到热处理装置快速升降温的效果,实现降低热处理装置升温/保温能耗的目的。
申请公布号 CN103774237A 申请公布日期 2014.05.07
申请号 CN201410058339.7 申请日期 2014.02.20
申请人 北京七星华创电子股份有限公司 发明人 孙少东;周厉颖;王丽荣
分类号 C30B33/02(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I 主分类号 C30B33/02(2006.01)I
代理机构 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人 吴世华;陶金龙
主权项 一种热处理装置,其特征在于,包括加热层及夹层,所述夹层为非金属材料,其内部表面光滑且内部中空,并环绕待加热样品形成加热腔;所述加热层位于所述夹层内侧,设置在所述加热腔内。
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