| 发明名称 | 一种半导体器件制备过程的监控系统及方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件制备过程的监控系统及方法，所述系统包括扫描工具模块、气压计改进工艺水准模块和数据处理模块；所述扫描工具模块用于测量所述待测器件晶圆地形高度数据；所述气压计改进工艺水准模块用于设置所述晶圆模板地形高度数据，同时提供偏移地图；所述数据处理模块用于将所述待测器件晶圆地形高度数据与所述偏移地图相结合，得到待测器件补偿数据，然后计算所述待测器件补偿数据与所述晶圆模板地形高度数据的相关系数r，计算得到其平方值RSQ，并进行相关性分析，判断是否符合误差标准，以实现对所述气压计改进工艺水准的实时监控。本发明所述系统和方法，避免了晶圆的破裂和损害，进一步提高效率和产品的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN103779248A | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN201210398775.X | 申请日期 | 2012.10.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李天慧;郝静安;邓国贵 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件制备过程的监控系统，所述系统包括扫描工具模块、气压计改进工艺水准模块和数据处理模块；所述扫描工具模块用于测量所述待测器件晶圆地形高度数据；所述气压计改进工艺水准模块用于设置所述晶圆模板地形高度数据，同时提供偏移地图；所述数据处理模块用于将所述待测器件晶圆地形高度数据与所述偏移地图相结合，得到待测器件补偿数据，然后计算所述待测器件补偿数据与所述晶圆模板地形高度数据的相关系数r，计算得到其平方值RSQ，并进行相关性分析，判断是否符合误差标准，以实现对所述气压计改进工艺水准的实时监控。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||