离子植入设备、多模式离子源及多模式中的离子植入方法

摘要

揭示一种离子植入设备、多模式离子源及多模式中的离子植入方法。在一特定例示性实施例中，可将所述技术实现为离子植入设备，其包括在多种模式下操作的离子源，使得第一模式为弧放电模式，且第二模式为RF模式。

主权项

一种离子植入设备，包括：离子源，其在多种模式下操作，其中第一模式为弧放电模式，且第二模式为RF模式，其中所述离子源包括具有导电腔室壁的弧室以及RF电源，其中所述离子植入设备还包括阴极、反射极以及第一额外电极以提供较大电极面积，且其中所述阴极位于所述弧室的一端，所述反射极位于所述弧室的另一端，在所述弧放电模式下操作时，所述反射极以与所述阴极相同或类似的电位偏压以反射高能电子，且在所述RF模式下操作时，所述阴极、所述反射极及所述第一额外电极耦合至所述RF电源。