| 发明名称 | 高阻率薄膜组合物及制作方法 | ||
| 摘要 | 一种薄膜组合物由硅、绝缘体(诸如氧化铝或二氧化硅)、以及至少一种添加材料(诸如铬、镍、硼和/或碳)制成。组合这些材料以提供电阻率(ρ)至少为0.02Ω-cm(典型为0.02～1.0Ω-cm)，且TCR小于±1000ppm/℃(典型为±300ppm/℃)的薄膜。还可获得至少20kΩ/□的表面电阻。这样获得的薄膜的厚度较佳为至少200′，以减小表面散射传导电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101647076B | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN200780051013.X | 申请日期 | 2007.08.28 |
| 申请人 | 美国亚德诺半导体公司 | 发明人 | M·李;S·赖特;P·迪格;C·威尔逊;G·塞斯特拉;D·鲍尔斯 |
| 分类号 | H01C7/06(2006.01)I | 主分类号 | H01C7/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 申发振 |
| 主权项 | 一种高电阻率的薄膜，其包含：硅；绝缘体，所述绝缘体包含氧化铝(Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)；以及至少一种添加材料，所述添加材料选自由铬、镍、硼和/或碳组成的组，所述硅、绝缘体和添加材料组合形成电阻率(ρ)至少为0.02Ω·cm且电阻温度系数(TCR)小于±300ppm/℃的薄膜，其中，所述薄膜的表面电阻为至少20kΩ/□。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||