| 发明名称 | 成膜材料、使用该成膜材料的密封膜、及其用途 | ||
| 摘要 | 本发明涉及使用具有至少一个与硅原子直接键合的仲烃基，且具有氧原子相对于硅原子1为0.5以下的原子比这样的特定结构的有机硅化合物作为原料，以由通过CVD形成的含碳氧化硅形成的膜作为密封膜，用于气体阻隔部件、FPD器件、半导体器件等。 | ||
| 申请公布号 | CN103781937A | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN201280043228.8 | 申请日期 | 2012.08.24 |
| 申请人 | 东曹株式会社 | 发明人 | 原大治;清水真乡 |
| 分类号 | C23C16/42(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;C07F7/08(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 沈雪 |
| 主权项 | 一种化学气相沉积法用的成膜材料，其含有下述有机硅化合物，所述有机硅化合物具有至少一个与硅原子直接键合的仲烃基，且具有氧原子相对于硅原子1为0.5以下的原子比。 | ||
| 地址 | 日本山口县 | ||