一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：步骤S101：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区和PMOS区，所述NMOS区包括NMOS的栅极结构，所述PMOS区包括PMOS的栅极结构；步骤S102：在所述半导体衬底上形成一层保护层；步骤S103：刻蚀所述保护层以形成所述PMOS的栅极侧壁；步骤S104：在所述PMOS的栅极结构两侧的半导体衬底上刻蚀出凹槽；步骤S105：在所述凹槽中形成锗硅层；步骤S106：刻蚀所述保护层以形成所述NMOS的栅极侧壁；步骤S107：同时形成NMOS的抬升的源极和漏极及PMOS的抬升的源极和漏极。本发明的半导体器件的制造方法，仅仅需要形成一次保护层，而且将形成NMOS和PMOS的抬升的源漏极集成在一个步骤之中，因此，简化了制造工艺，降低了成本。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区和PMOS区，所述NMOS区包括NMOS的栅极结构，所述PMOS区包括PMOS的栅极结构；步骤S102：在所述半导体衬底上形成一层保护层，所述保护层覆盖整个所述的半导体衬底；步骤S103：刻蚀所述保护层位于所述PMOS区的部分以形成所述PMOS的栅极侧壁；步骤S104：在所述PMOS的栅极结构两侧的半导体衬底上刻蚀出凹槽；步骤S105：在所述凹槽中形成锗硅层；步骤S106：刻蚀所述保护层位于所述NMOS区的部分以形成所述NMOS的栅极侧壁；步骤S107：同时形成所述NMOS的抬升的源极和漏极以及所述PMOS的抬升的源极和漏极。