| 发明名称 | Z字形自准直半导体光放大器热沉 | ||
| 摘要 | 一种Z字形自准直半导体光放大器热沉，包括：一上水平横梁；一下水平横梁，该下水平横梁与上水平横梁平行；一斜梁，该斜梁位于上水平横梁和下水平横梁之间，该斜梁的一端与上水平横梁的一端固定，该斜梁的另一端与下水平横梁远离固定该斜梁的上水平横梁的另一端固定，该上水平横梁、下水平横梁与斜梁之间形成有一夹角，形成Z字形。本发明具有结构简单、操作方便，制冷效果好，容易对准等优点，可以大大提高耦合效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103779783A | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN201410047192.1 | 申请日期 | 2014.02.10 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 于丽娟;刘建国;祝宁华 |
| 分类号 | H01S5/024(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/024(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种Z字形自准直半导体光放大器热沉，包括：一上水平横梁；一下水平横梁，该下水平横梁与上水平横梁平行；一斜梁，该斜梁位于上水平横梁和下水平横梁之间，该斜梁的一端与上水平横梁的一端固定，该斜梁的另一端与下水平横梁远离固定该斜梁的上水平横梁的另一端固定，该上水平横梁、下水平横梁与斜梁之间形成有一夹角，形成Z字形。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||