半导体表面粗糙化方法

摘要

一种半导体表面粗糙化方法，此方法是先提供基板，在基板上依序形成第一型掺杂半导体层、发光层、将气压范围定为300至700毫巴(mbar)，预定温度范围定为摄氏850至1200度，在发光表面上沉积形成第二型掺杂半导体层。之后，于此预定气压范围与预定温度范围内，通入蚀刻气体与钝化气体至第二型掺杂半导体层表面达预定时间10至120分钟，以完成第二型掺杂半导体层表面的凹凸构造。

主权项

一种半导体表面粗糙化方法，其包含下列步骤：提供一基板；于该基板上形成一第一型掺杂半导体层；于该第一型掺杂半导体层表面上形成一发光层；于一预定气压范围与一预定温度范围内，在该发光层表面沉积形成一第二型掺杂半导体层；以及于该预定气压范围与该预定温度范围内，通入一蚀刻气体与一钝化气体至该第二型掺杂半导体层表面达一预定时间，于该预定时间结束后，再通入一修补气体，以完成该第二型掺杂半导体层表面的至少一凹凸构造；其中该等掺杂半导体层分别为n型掺杂氮化镓(GaN)层与p型掺杂氮化镓(GaN)层，该预定气压范围为300至700毫巴(mbar)，该预定温度范围为摄氏850至1200度，该修补气体为三甲基镓（TMGa）气体或三乙基镓(TEGa)或三甲基铟(TMIn)。