发明名称 用于衬底的两侧溅射蚀刻的系统和方法
摘要 本发明公开一种用于蚀刻构图介质磁盘的系统。利用可移动电极执行溅射蚀刻。将电极移动到靠近衬底或者稍微接触衬底以将RF能量耦合到所述磁盘。将被蚀刻的材料可以是例如Co/Pt/Cr的金属或者类似金属。将衬底垂直保持在载体中并且按顺序蚀刻衬底的两侧。即,在一个腔中蚀刻一侧然后在下一个腔中蚀刻第二侧。在两个腔之间设置隔离阀并且磁盘载体在腔之间移动所述磁盘。所述载体可以是使用例如磁化轮和线性电机的线性驱动载体。
申请公布号 CN101889325B 申请公布日期 2014.05.07
申请号 CN200880119457.7 申请日期 2008.12.05
申请人 因特瓦克公司 发明人 M·S.·巴尔内斯;T·布卢克
分类号 H01L21/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 陈松涛;夏青
主权项 一种用于蚀刻衬底的蚀刻腔,包括:主腔体;耦合到所述腔体的工艺气体输送组件;支撑衬底的衬底定位机构;等离子体功率施加器;耦合在所述腔体一侧的可移动电极组件,所述可移动电极组件可用于在所述衬底的传送期间位于远端位置,并且在蚀刻处理期间位于近端位置以将RF偏置能量电容耦合到所述衬底的一个表面,但是没有吸附力施加到所述衬底,使得等离子体粒子朝向所述衬底加速以蚀刻所述衬底的相对表面,其中在近端位置所述电极保持靠近接触磁盘,使得所述电极和所述磁盘之间的间隙维持得比等离子体暗区更小。
地址 美国加利福尼亚