发明名称 |
鳍式场效应晶体管及其形成方法 |
摘要 |
一种鳍式场效应晶体管及其形成方法,所述形成方法包括:形成鳍部结构后,在所述鳍部结构顶部表面形成第一凹槽,所述第一凹槽侧壁的鳍部结构形成第一鳍部;在所述第一凹槽底部表面形成第二凹槽,所述第二凹槽侧壁的鳍部结构形成第二鳍部;将所述第一鳍部、第二鳍部的顶角变成圆弧形。由于所述鳍部结构的顶部表面被刻蚀形成若干个第一鳍部和第二鳍部,使得最终形成的鳍部结构的表面积远远大于现有的剖面形状为矩形的鳍部的表面积,有利于提高鳍式场效应晶体管的沟道区面积,从而有利于提高驱动电流。且所述第一鳍部、第二鳍部的顶角变成圆弧形,能有效地避免部分沟道区的电流过大导致器件过热。 |
申请公布号 |
CN103779220A |
申请公布日期 |
2014.05.07 |
申请号 |
CN201210406252.5 |
申请日期 |
2012.10.22 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
冯军宏;徐依协;甘正浩 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种鳍式场效应晶体管的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,在所述基底表面形成鳍部结构,至少在所述鳍部结构两侧的基底表面形成绝缘层;在所述鳍部结构顶部表面形成第一凹槽,所述第一凹槽侧壁的鳍部结构形成第一鳍部;在所述第一凹槽底部表面形成第二凹槽,所述第二凹槽侧壁的鳍部结构形成第二鳍部;将所述第一鳍部、第二鳍部的顶角变成圆弧形;在所述鳍部结构表面形成栅极结构;在所述栅极结构两侧的鳍部结构中形成源区和漏区。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |