LED芯片及其制作方法、LED发光器件

摘要

本发明提供了一种LED芯片及其制作方法、LED发光器件，包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上依次形成缓冲层、发光结构、扩散阻挡层和绝缘层；对所述绝缘层进行刻蚀，形成贯穿所述绝缘层和扩散阻挡层并延伸至所述N型氮化镓层中的第一通孔，并在所述第一通孔内填充金属层形成第一电极；在所述具有第一电极的绝缘层表面形成金属种子层和金属支撑层，并将所述第一衬底与所述发光结构分开；对所述发光结构进行刻蚀，形成贯穿所述发光结构的第二通孔，并在所述第二通孔内填充金属层形成第二电极。本发明中的电极粘附力更强，欧姆接触更良好，从而能够提高LED芯片及LED发光器件的稳定性和良率。

主权项

一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上依次形成缓冲层、发光结构、扩散阻挡层和绝缘层，其中，所述发光结构包括依次形成的N型氮化镓层、有源层、P型氮化镓层和金属反射层；对所述绝缘层进行刻蚀，形成贯穿所述绝缘层和扩散阻挡层并延伸至所述N型氮化镓层中的第一通孔，并在所述第一通孔内填充金属层形成第一电极；在所述具有第一电极的绝缘层表面形成金属种子层和金属支撑层，并将所述第一衬底与所述发光结构分开；对所述发光结构进行刻蚀，形成贯穿所述发光结构的第二通孔，并在所述第二通孔内填充金属层形成第二电极。