发明名称 模拟开关电路和具备它的电气设备
摘要 本实用新型的模拟开关电路(1)包括:具有连接到输入端子(IN)的漏极的NMOS晶体管(M1);具有分别连接到电源节点(VDD)和NMOS晶体管(M1)的栅极的源极和漏极、以及连接到控制端子(CTRL)的栅极的PMOS晶体管(SW1);具有连接到基准节点(VSS)的漏极、以及连接到NMOS晶体管(M1)的源极的栅极的PMOS晶体管(QP);以及连接到NMOS晶体管(M1)的栅极和PMOS晶体管(QP)的源极,生成比NMOS晶体管(M1)的栅极-源极间的耐压和栅极-源极间电压(VGS)之差小的恒压(VC)的恒压电路(21)。
申请公布号 CN203590182U 申请公布日期 2014.05.07
申请号 CN201320688910.4 申请日期 2013.11.04
申请人 罗姆股份有限公司 发明人 土桥正典
分类号 H03K17/08(2006.01)I;H03K17/687(2006.01)I 主分类号 H03K17/08(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 郭定辉
主权项 一种模拟开关电路,其特征在于,包括:输入端子;输出端子;控制端子;第一导电型的第一晶体管,具有电连接所述输入端子的第一电极、电连接所述输出端子的第二电极、以及控制电极;第二导电型的第二晶体管,具有分别电连接第一电压节点和所述第一晶体管的控制电极的第1电极和第二电极、以及电连接所述控制端子的控制电极;所述第二导电型的第三晶体管,具有:第一电极;电连接相对于所述第一电压节点有电位差的第二电压节点的第二电极;以及电连接所述第一晶体管的第二电极的控制电极;以及恒压电路,电连接所述第一晶体管的控制电极和所述第三晶体管的第一电极,生成比所述第一晶体管的控制电极和第二电极间的耐压与所述第三晶体管的控制电极和第一电极间的电压之差小的恒压。
地址 日本京都府
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