| 发明名称 | 一种快恢复二极管 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种电力半导体器件，具体涉及一种快恢复二极管，包括衬底和P区，所述P区在衬底上形成，共同构成PN结，所述P区包括由上到下依次设置的磷离子补偿注入层和硼离子注入层；所述磷离子补偿注入层能够实现P区表面浓度降低，所述快恢复二极管正向导通时注入空穴数量减少；在采用少子寿命控制时可不需要生成过多的复合中心，由此会带来一系列参数的优化。本实用新型提供的快恢复二极管，通过对P区进行磷补偿注入的方式实现P区表面浓度降低，从而实现正向导通时注入空穴数量的减少。 | ||
| 申请公布号 | CN203589041U | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN201320677202.0 | 申请日期 | 2013.10.30 |
| 申请人 | 国家电网公司;国网智能电网研究院;国网上海市电力公司 | 发明人 | 吴迪;刘钺杨;何延强;刘隽;凌平;包海龙;张宇 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人 | 徐国文 |
| 主权项 | 一种快恢复二极管，所述快恢复二极管包括衬底和P区，所述P区在衬底上形成，共同构成PN结，其特征在于，所述P区包括由上到下依次设置的磷离子补偿注入层和硼离子注入层。 | ||
| 地址 | 100031 北京市西城区西长安街86号 | ||