| 摘要 |
<p>본 발명은 이미지 센서의 감광성 영역들 사이의 실리콘 격리 인터페이스(silicon-isolation interface)용 패시베이션층을 형성하는 방법에 관한 것으로, 이 방법은 입사광에 응답하여 전하를 수집하는 복수의 이격된 향후 형성될 감광성 영역들(to-be formed photosensitive regions)을 갖는 기판을 제공하는 단계와, 상기 향후 형성될 감광성 영역들 사이의 기 판 내에 트렌치를 에칭하는 단계와, 상기 향후 형성될 감광성 영역들 사이의 트렌치는 덮지 않도록 상기 향후 형성될 감광성 영역들 위에 복수의 마스크를 형성하는 단계와, 트렌치를 패시베이션하기 위해 상기 이미지 센서에 제 1의 낮은 도즈(first low dose)를 주입하는 단계와, 유전체로 상기 트렌치를 충진하여 상기 향후 형성될 감광성 영역들 사이에 격리부를 형성하는 단계와, 트렌치 격리부의 상기 표면 코너부에 패시베이션 주입을 할 수 있도록 격리 트렌치의 표면 코너부는 덮지 않으면서 상기 향후 형성될 감광성 영역들을 덮는 복수의 마스크를 형성하는 단계와, 트렌치된 격리 영역의 표면 코너를 패시베이션하기 위해 이미지 센서에 제 2의 낮은 도즈를 주입하는 단계를 포함한다.</p> |
