| 发明名称 | 陶瓷真空继电器改良结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种陶瓷真空继电器改良结构，包括陶瓷真空密封罩和设于该陶瓷真空密封罩内的动触点和静触点，在所述陶瓷真空密封罩和其内的动触点和静触点之间设有屏蔽罩，可有效提高继电器的电负载寿命，并不会对继电器性能产生不良影响；同时在陶瓷真空密封罩内设一台阶，并在台阶上设了一层金属层，可以方便的将屏蔽罩固定在陶瓷真空密封罩上。<!--1--> | ||
| 申请公布号 | CN103779135A | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN201210411009.2 | 申请日期 | 2012.10.25 |
| 申请人 | 昆山国力真空电器有限公司 | 发明人 | 覃奀垚;贾冰冰;余佳;陈腾腾 |
| 分类号 | H01H33/66(2006.01)I;H01H33/662(2006.01)I | 主分类号 | H01H33/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 昆山四方专利事务所 32212 | 代理人 | 盛建德 |
| 主权项 | 一种陶瓷真空继电器改良结构，包括陶瓷真空密封罩（1）和设于该陶瓷真空密封罩内的动触点和静触点，其特征在于：在所述陶瓷真空密封罩和其内的动触点和静触点之间设有屏蔽罩（2）。 | ||
| 地址 | 215301 江苏省苏州市昆山市开发区长江中路179号 | ||