发明名称 用于制造在触控面板中使用的透明主体的方法和系统
摘要 本发明提供了一种用于制造在触控面板中使用的透明主体的工艺。所述工艺包括:在基板上沉积第一透明层堆叠,所述第一透明层堆叠包括第一含硅电介质薄膜、第二含硅电介质薄膜和第三含硅电介质薄膜。所述第一和第三含硅电介质薄膜具有低折射率,而所述第二含硅电介质薄膜具有高折射率。所述工艺进一步包括:沉积透明导电薄膜,使得所述第一透明层堆叠和所述透明导电薄膜按这种次序设置在基板上。通过溅射从靶沉积所述第一含硅电介质薄膜、所述第二含硅电介质薄膜、所述第三含硅电介质薄膜或者所述透明导电薄膜中的至少一个。除此之外,还提供了一种用于制造在触控面板中使用的透明主体的沉积装置(300)和一种在触控面板中使用的透明主体。
申请公布号 CN103782201A 申请公布日期 2014.05.07
申请号 CN201180073335.0 申请日期 2011.09.07
申请人 应用材料公司 发明人 H-G·洛茨
分类号 G02B1/10(2006.01)I 主分类号 G02B1/10(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 何焜
主权项 一种用于制造在触控面板中使用的透明主体(10)的工艺,所述工艺包括:在基板(14)上沉积第一透明层堆叠(12),所述第一透明层堆叠(12)包括第一含硅电介质薄膜(16)、第二含硅电介质薄膜(18)以及第三含硅电介质薄膜(20),所述第一和第三含硅电介质薄膜具有低折射率,而所述第二含硅电介质薄膜具有高折射率;以及沉积透明导电薄膜(22),使得所述第一透明层堆叠(12)和所述透明导电薄膜(22)以这种次序被设置在所述基板(14)上;其中通过溅射从靶(122、124、126、128、322、324、326、328)沉积所述第一含硅电介质薄膜(16)、所述第二含硅电介质薄膜(18)、所述第三含硅电介质薄膜(20)或者所述透明导电薄膜(22)中的至少一个。
地址 美国加利福尼亚州