发明名称 |
具有可调电阻的硅基纳米级电阻器件 |
摘要 |
一种非易失性固态电阻器件,所述非易失性固态电阻器件包括第一电极、p型硅第二电极、和电连接在所述电极之间的非结晶硅纳米结构。所述纳米结构具有响应于通过所述电极施加到所述纳米结构的电压可调的电阻。所述纳米结构可以被形成为被嵌入位于所述电极之间的绝缘层中的纳米柱。第一电极可以是银或其它导电金属电极。第三(金属)电极可以在邻近纳米结构的位置处连接到p型多晶硅第二电极以允许所述两个金属电极连接到其它电路。电阻器件可以被用作数字非易失性存储器件的单位存储单元以通过在两个或更多个值之间改变它的电阻来存储一位或更多位数字数据。 |
申请公布号 |
CN102177584B |
申请公布日期 |
2014.05.07 |
申请号 |
CN200980139738.3 |
申请日期 |
2009.10.08 |
申请人 |
密执安大学评议会 |
发明人 |
卢伟;赵成现;金局奂 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
李娜;卢江 |
主权项 |
一种非易失性固态电阻器件,包括:第一金属电极;p型多晶硅电极;至少部分地位于所述电极之间的绝缘层;嵌入所述绝缘层中并且具有均连接到所述电极中的不同电极的相对端面的非晶硅结构,其中所述第一金属电极包括金属,所述金属在所述电极两端存在施加的电压的情况下提供在所述非晶硅结构内形成细丝的金属离子,由此,所述非晶硅结构展现出能够根据施加的电压被调整的电阻;以及在离所述非晶硅结构不超过100 nm的位置处与所述多晶硅电极接触的第二金属电极。 |
地址 |
美国密执安州 |